Apakah perbezaan antara boron nitrida ditekan panas dan boron nitrida pirolitik?
Boron nitrida ialah bahan seramik termaju yang terdapat dalam empat varian berbeza, yang paling biasa ialah boron nitrida padu (c-BN) dan boron nitrida heksagon (h-BN). c-BN adalah serupa dengan berlian, terutamanya digunakan untuk membuat alat pemotong; h-BN ialah struktur berlapis yang serupa dengan grafit, yang longgar, dilincirkan, mudah menyerap lembapan dan ringan, juga dikenali sebagai grafit putih, dengan kekonduksian haba dan sifat penebat yang sangat baik.
Mengikut proses pembuatan yang berbeza, h-BN boleh dibahagikan kepada boron nitrida penekan panas (HPBN) dan boron nitrida pirolitik (PBN). Boron nitrida ditekan panas menggunakan teknologi pensinteran tekanan panas, dan produk mempunyai kelebihan ketumpatan tinggi, kekuatan tinggi dan kos pengeluaran yang rendah; pirolitik boron nitrida menggunakan teknologi pemendapan wap kimia, yang mempunyai kelebihan kurang kekotoran dan ketulenan yang tinggi.
1. Boron Nitrida Tekan Panas (HPBN)
Boron nitrida ditekan panas dibuat dengan menekan dan mensinter dengan serbuk dituangkan ke dalam acuan. Ia adalah penebat elektrik yang sangat baik dengan pelinciran yang sangat baik dan kestabilan suhu tinggi. Walaupun pada suhu yang sangat tinggi, Ia juga boleh mengekalkan pelinciran dan lengainya. Boron nitrida yang ditekan panas mempunyai kekuatan mekanikal yang rendah dan rintangan haus, tetapi mempunyai kapasiti haba yang tinggi, kekonduksian terma yang sangat baik, kekuatan dielektrik yang cemerlang dan kemudahan pemprosesan. Dalam suasana lengai, boron nitrida boleh menahan suhu tinggi melebihi 2000 °C, jadi ia adalah bahan penebat konduktif terma suhu tinggi yang ideal.
Menggunakan kestabilan kimia yang sangat baik bagi seramik boron nitrida, ia boleh digunakan sebagai pijar, bot, paip penghantar logam cecair untuk logam lebur dan penyejatan, pijar untuk mensintesis kristal GaAs, muncung roket, tapak untuk peranti berkuasa tinggi, paip untuk mencairkan logam, dan bahagian pam, acuan tuangan keluli, bahan penebat, dsb.
2. Pirolitik Boron Nitrida (PBN)
Boron nitrida pirolitik tergolong dalam sistem kristal heksagon dan merupakan bahan berlapis biasa. Ia dibentuk oleh pemendapan wap kimia (CVD) ammonia dan boron halida di bawah suhu tinggi dan keadaan vakum yang tinggi. Ia boleh didepositkan ke dalam bahan kepingan nipis, atau terus ke dalam produk akhir PBN seperti tiub, cincin ataubekas dengan dinding nipis. Ketulenan boron nitrida pirolitik adalah sangat tinggi, yang boleh mencapai lebih daripada 99.99%.
Boron nitrida pirolitik mempunyai ciri-ciri yang sangat baik seperti ketulenan tinggi, kekonduksian haba yang tinggi, kekuatan mekanikal yang tinggi, penebat elektrik yang baik, lengai kimia yang baik, dan tidak toksik, menjadikannya bahan bekas yang ideal untuk penulenan unsur dan pertumbuhan kristal semikonduktor. Aplikasi utama ialah unit penyejatan OLED, mangkuk kristal pertumbuhan tunggal semikonduktor (VGF, LEC), mangkuk penyejat rasuk molekul (MBE), pemanas MOCVD, bot polihabluran, suhu tinggi, papan penebat peralatan vakum tinggi, dsb.
Perbezaan antara HPBN dan PBN
1. Proses pengeluaran yang berbeza: HPBN menggunakan pembentukan acuan tradisional dan proses pensinteran menekan panas; PBN menggunakan proses pemendapan wap kimia.
2. Produk yang berbeza boleh dihasilkan: HPBN mudah dimesinan, dan boleh dimesin untuk mendapatkan bentuk dan saiz yang diperlukan; PBN hanya sesuai untuk pengeluaran dengan ketebalan atau dinding nipis.
3. Ketulenan bahan yang berbeza: HPBN perlu menambah alat pensinteran dalam proses pengeluaran, jadi ketulenan tidak boleh mencapai setinggi PBN; proses pengeluaran PBN tidak perlu menambah alat pensinteran, dan ketulenan boleh mencapai lebih daripada 99.99%.
4. Bidang aplikasi yang berbeza: PBN sesuai untuk pengeluaran bekas pertumbuhan kristal dalam industri semikonduktor kerana ketulenannya yang sangat tinggi, kos pengeluaran yang tinggi dan pemprosesan yang sukar;Oleh kerana kos pengeluarannya yang agak rendah dan pemprosesannya yang mudah, HPBN sesuai untuk bahagian penebat relau suhu tinggi, tiub perlindungan termokopel, mangkuk pijar atau acuan untuk logam cair, muncung tali pinggang amorf dan muncung pengabusan logam serbuk, dsb.
