Aluminium Nitrida (AlN)

Seramik Aluminium Nitride (AlN) mempunyai kekonduksian haba yang tinggi (≥170 W/m·K), penebat elektrik yang sangat baik, dan pengembangan haba yang rendah, menjadikannya sesuai untuk pelesapan haba dan pembungkusan elektronik, terutamanya untuk elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi. Seperti bahan seramik lain, ia mempamerkan kekerasan yang tinggi, kekuatan mekanikal yang sangat baik, rintangan kakisan, dan kestabilan suhu tinggi, menjadikannya sesuai untuk komponen struktur dalam persekitaran yang keras.

Seramik AlN menawarkan kestabilan haba yang sangat baik, mengekalkan sifatnya melebihi 2000°C dalam atmosfera lengai. Di udara, pengoksidaan bermula pada kira-kira 600–700°C, membentuk lapisan pelindung Al2O3 yang memperlahankan pengoksidaan selanjutnya. Lapisan ini kekal stabil sehingga sekitar 1370°C, tetapi pada suhu yang lebih tinggi, pengoksidaan mungkin berkembang, yang berpotensi menjejaskan integriti bahan.

Hartanah

• Kekerasan tinggi dan kekuatan mekanikal yang sangat baik

• Rintangan suhu tinggi yang sangat baik

• Pengembangan terma serupa dengan silikon

• Kekonduksian haba yang unggul

• Rintangan kakisan yang sangat baik

• Tidak toksik dan mesra alam

• Kekuatan kerosakan elektrik yang tinggi

• Pemalar dielektrik rendah dan kehilangan dielektrik minimum

Helaian Data

Aplikasi

• Modul Peralatan Semikonduktor

• Komunikasi Optik & Modul RF

• Modul Pembungkusan LED & Laser

• Modul Elektronik Kuasa

• Komponen Pengurusan Terma

• Modul Gelombang Mikro & Radar Berfrekuensi Tinggi

• Modul Perubatan & Penderiaan

Produk Berkaitan