Get the latest price?

Blog

  • Pengenalan kepada Proses Pengacuan Hot-press Seramik Termaju

    Pengacuan tekan panas adalah proses pembentukan yang digunakan secara meluas dalam pengeluaran seramik termaju. Ia digunakan terutamanya untuk menghasilkan seramik struktur kompleks bersaiz kecil dan sederhana, seramik tahan haus, seramik elektronik, seramik penebat, seramik tekstil, seramik tahan haba , seramik pengedap, seramik tahan kakisan dan seramik tahan kejutan haba.

    15-09-2023
  • Pengenalan kepada Proses Pengacuan Suntikan Seramik Termaju

    Pengacuan Suntikan Seramik (CIM) ialah proses baru untuk pembuatan komponen seramik yang menggabungkan prinsip pengacuan suntikan polimer dengan teknik penyediaan seramik.

    13-09-2023
  • Pengenalan kepada Proses Tuangan Pita Seramik Termaju

    Tuangan pita, juga dikenali sebagai tuangan bilah doktor, adalah proses pembentukan seramik asas. Prinsip asasnya melibatkan pengaliran buburan seramik dengan kelikatan yang sesuai dan kebolehserakan yang baik dari palung buburan kastor pita ke substrat.

    07-09-2023
  • Pengenalan kepada Proses Penekanan Kering Seramik Termaju

    Penekanan kering ialah teknik membentuk yang paling banyak digunakan, juga dikenali sebagai menekan serbuk, dan ia merupakan proses pembentukan utama untuk seramik khusus seperti seramik dielektrik gelombang mikro dan komponen seramik semikonduktor.

    06-09-2023
  • Ciri dan Aplikasi Seramik Silikon Karbida

    Seramik silikon karbida mempunyai pelbagai sifat berfaedah, termasuk kestabilan kimia, rintangan suhu tinggi, rintangan haus, rintangan kakisan, kekonduksian haba yang tinggi, pekali pengembangan haba yang rendah, dan kekerasan yang tinggi. Kualiti ini menjadikannya bahan yang ideal untuk pelbagai industri.

    23-08-2023
  • Perbezaan dalam Prestasi antara Boron Nitrida Pirolitik dan Boron Nitrida Ditekan Panas

    Pensinteran tekan panas secara amnya dianggap sebagai kaedah pensinteran yang ideal, menghasilkan seramik dengan ketumpatan tinggi, kekuatan, dan proses pengeluaran matang, sekali gus menemui aplikasi yang meluas. Variasi lain ialah pirolitik boron nitrida (PBN), disediakan menggunakan teknik pemendapan wap kimia (CVD). Mari kita bandingkan kedua-dua ini dengan memberi tumpuan kepada boron nitrida yang ditekan panas dan boron nitrida pirolitik.

    14-08-2023
  • Siri Kaedah Pemeriksaan: Ujian SAT Mikroskop Pengimbasan Ultrasonik

    Pemeriksaan SAT adalah berdasarkan sifat fizikal gelombang ultrasonik, sama seperti pemeriksaan ultrasound perubatan atau pengesanan sonar dalam kapal selam. Gelombang ultrasonik dihantar ke dalam substrat seramik melalui medium tertentu.

    10-08-2023
  • Siri Substrat Seramik Pembungkusan Berasaskan Seramik

    Komponen elektronik yang beroperasi dalam persekitaran yang keras seperti suhu tinggi dan kelembapan yang tinggi boleh menyebabkan kemerosotan prestasi dan juga kerosakan. Oleh itu, kaedah pembungkusan yang berkesan dan penambahbaikan berterusan bahan pembungkusan diperlukan untuk mengekalkan kestabilan komponen elektronik yang baik dalam keadaan luaran yang menuntut.

    07-08-2023
  • Siri Substrat Seramik-Prestasi dan Penggunaan Logam Aktif AMB

    Active Metal Brazing (AMB) ialah kemajuan proses DBC. Ia melibatkan penambahan sedikit unsur aktif (cth, Ti, Zr, V, Cr) pada pes elektronik pematerian, yang kemudiannya dicetak pada substrat seramik menggunakan teknologi percetakan skrin.

    26-07-2023
  • Siri Substrat Seramik- Aplikasi dan Pembangunan Teknologi Substrat Seramik DPC dalam Pengeluaran Tenaga Baharu

    Memandangkan permintaan global untuk tenaga mampan terus meningkat, industri tenaga baharu sedang pesat membangun. Artikel ini akan menumpukan pada aplikasi utama dan perkembangan teknologi substrat seramik DPC (Tembaga Penyaduran Langsung) dalam pengeluaran tenaga baharu, termasuk kelebihannya dalam fotovoltaik suria, penjanaan tenaga angin dan sistem storan tenaga, serta arah aliran dan cabaran masa hadapan.

    24-07-2023
Dapatkan harga terkini? Kami akan bertindak balas secepat mungkin (dalam masa 12 jam)

Dasar privasi